阴离子掺杂ZnO的荧光性能与X-光电子能谱特征

来源 :化工新型材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:acdd5230351
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以溴化铵(NH4Br)为助熔剂,在较低温度(~800℃)下的空气气氛中煅烧硫化锌(ZnS),合成了S2-、Br-共掺杂ZnO绿色荧光粉。采用XPS技术对该类ZnO荧光粉绿光发射的原因进行了探讨,认为S2-、Br-共掺杂将促进ZnO中氧空穴和锌空穴的形成,使光生电子从禁带中的这些局域缺陷中心跃迁至深陷阱的空穴而产生强的绿色发射。 Zinc sulfide (ZnS) was calcined in the air at a relatively low temperature (~ 800 ℃) using ammonium bromide (NH4Br) as a flux to synthesize S2- and Br-codoped ZnO green phosphors. The reason of the green emission of such ZnO phosphors was discussed by using XPS technique. It is believed that S2- and Br-codoping will promote the formation of oxygen and zinc holes in ZnO and make the photogenerated electrons from these Local defect centers transition to deep trapped holes resulting in strong green emission.
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