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较高的表面能是ＳｉＯ２薄膜产生亲水性并导致体内贮存电荷失稳的重要原因。极性Ｐｂ６２＋离子的掺入有效地降低了ＳｉＯ２薄膜的表面能，使表面趋于中性，增强了疏水性。此外，Ｐｂ＾２＋，Ａｌ＾３＋离子作为填隙式离子和替位式离的掺入较好地改善了ＳｉＯ２薄膜的网络结构并使其致密化，使样品在保持原有良好的负电荷存储性能基础上，又对称增增加了优良的正电荷贮存能力。