【摘 要】
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通过准分子 (30 8mm)激光将 (Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜剥离沉积在Si(1 0 0 )基片上 .随着沉积温度的增加 ,BST薄膜的结晶性显著提高 .在 6 0 0℃附近沉积的BST薄膜 (40 0nm)有
【机 构】
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湖北大学物理学与电子技术学院!湖北武汉430062,湖北大学物理学与电子技术学院!湖北武汉430062,华中理工大学激光技术国家重点实验室!湖北武汉430074,湖北大学物理学与电子技术学院!湖北武汉
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通过准分子 (30 8mm)激光将 (Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜剥离沉积在Si(1 0 0 )基片上 .随着沉积温度的增加 ,BST薄膜的结晶性显著提高 .在 6 0 0℃附近沉积的BST薄膜 (40 0nm)有良好的结晶性 ,介电常数为30 0 ,损耗因子为 0 .0 1 5 ,漏电流密度达到 2× 1 0 -10 A/cm2 ,电荷存储密度QC 为 35fC/μm2 (外电场 1 2 .5kV/cm) .研究了MFS结构的C -V特性和I-V特性 ,BST/Si之间存在很好的界面 ,表现出良好的电性能 .
The films of (Ba1-xSrx) TiO3 (BST) were stripped and deposited on the Si (100) substrate by an excimer laser (30 8mm). The crystallinity of the BST thin films increased significantly with increasing deposition temperature. The deposited BST film (40 0nm) has a good crystallinity with a dielectric constant of 30 °, a loss factor of 0.015, a leakage current density of 2 × 10 -10 A / cm 2, a charge storage density of QC Is 35 fC / μm 2 (external electric field is 12.5 kV / cm). The C-V characteristic and IV characteristic of MFS structure are studied. There is a good interface between BST / Si and good electrical properties.
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