【摘 要】
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本文基于AWSC公司2μm InGaP/GaAsHBT晶体管工艺,提出新型全集成的单片微波混沌电路结构。电路采用电流镜做为电路射极的恒流源,解决了现有技术利用大电感(1000nH以上)做为恒流
【机 构】
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东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心,苏州工业园区教育投资发展有限公司&,苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心,东南大学国家ASIC系统工程中心
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本文基于AWSC公司2μm InGaP/GaAsHBT晶体管工艺,提出新型全集成的单片微波混沌电路结构。电路采用电流镜做为电路射极的恒流源,解决了现有技术利用大电感(1000nH以上)做为恒流源而导致电路无法全集成及电感自身震荡影响电路稳定性的问题。仿真和测试结果表明,当最高基本频率同为1.20GHz时,全集成单片微波混沌电路比现有技术的频谱带宽扩展了23%,达到DC-4.30GHz,输出电压摆幅也提升15%。
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