【摘 要】
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为了发展光电子器件中不可缺少的InP工艺, 我们报导了一种用CdP_2和P作源向InP中扩散Cd的方法。此方法获得P=10~(18)—10~(19)cm~(-3)的受主浓度,扩散深度由源中使用的P量决
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为了发展光电子器件中不可缺少的InP工艺, 我们报导了一种用CdP_2和P作源向InP中扩散Cd的方法。此方法获得P=10~(18)—10~(19)cm~(-3)的受主浓度,扩散深度由源中使用的P量决定,陡的扩散前沿适合于制作突变p—n结。在本文中,我们还分析了扩散动力学,并提出了一种解释实验中观察到的异常扩散分布的理论。
In order to develop an InP process indispensable for optoelectronic devices, we report a method of Cd diffusion from Cd and Cd into InP. The acceptor concentration of P = 10 ~ (18) -10 ~ (19) cm ~ (-3) is obtained by this method. The diffusion depth is determined by the amount of P used in the source. The steep diffusion front is suitable for the fabrication of abrupt p-n junction . In this paper, we also analyze the diffusion dynamics and propose a theory to explain the observed anomalous diffusion distribution in the experiment.
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