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利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器,将电源噪声引入运放反馈,得到了一种高电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑制进行了推导和分析。仿真结果表明,在3 V电源电压下,在-40-85℃范围内,温度系数低于1.976 ppm/℃;在27℃下,1 KHz时,电源抑制比达88 dB.
一种新型的高电源抑制比带隙基准源的设计
【摘 要】
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利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器,将电源噪声引入运放反馈,得到了一种高电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑制进行了推导和分析。仿真结果表明,在3 V电
【机 构】
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贵州大学理学院微纳电子与软件技术重点实验室
【出 处】
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贵州大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2010年2期
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