论文部分内容阅读
碳化硅(SiC)器件相比传统的硅器件(MOSFET、IGBT等)具有高频率和低通态压降等特性,然而在桥式电路拓扑的应用中,串扰问题会降低碳化硅器件的可靠性,必须加以抑制。文章主要分析了桥式电路拓扑中碳化硅器件开关过程中串扰问题产生的机理并且提出了一种有效的抑制串扰问题的方法。实验结果表明,提出的方法能够获得较好的串扰抑制效果,对碳化硅器件的驱动设计布局及器件的封装具有一定的指导意义。