【摘 要】
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采用水热法低温（200℃）处理12h直接制备ZnS∶Cu,Al纳米晶,并探讨其光致（PL）和X射线激发（XEL）光谱特性及后续退火处理的影响.XRD和TEM分析表明,水热法直接制备的ZnS∶Cu,Al粒径约为1
【机 构】
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大连海事大学光电子技术研究所,大连民族学院理学院物理系
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采用水热法低温（200℃）处理12h直接制备ZnS∶Cu,Al纳米晶,并探讨其光致（PL）和X射线激发（XEL）光谱特性及后续退火处理的影响.XRD和TEM分析表明,水热法直接制备的ZnS∶Cu,Al粒径约为15nm,尺寸分布窄,分散性好,具有纯立方相的球形结构.其PL和XEL光谱均为宽带谱,n（Cu）/n（Zn）=3×10-4和n（Cu）/n（Al）=0.5时PL和XEL光谱强度最大,XEL峰值在470nm处.在此条件下,水热处理3h直接合成的纳米晶在氩气保护下于800℃退火1h后样品的XEL
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