湿法刻蚀处理熔石英光学元件研究进展

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熔石英光学元件经过精密加工后亚表面存在大量缺陷,这些缺陷在强激光辐照下易引发激光诱导损伤,威胁熔石英元件在紫外激光(351 nm/355 nm)辐照下的正常运行。在湿法刻蚀工艺中,刻蚀液与熔石英材料发生化学反应,钝化亚表面结构裂纹,去除污染杂质,从而降低缺陷对损伤的影响,提高元件抗激光损伤性能。分析了熔石英光学元件的损伤机理,介绍了强酸沥滤、氢氟酸基刻蚀技术及其他湿法刻蚀技术的进展情况,比较了湿法刻蚀中不同刻蚀参数对元件抗激光损伤阈值的影响,总结了该领域的研究现状并对今后的发展趋势进行了展望。
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