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研究用不同清洗方法对硅基底表面粗糙度的影响，首先使用原子力显微镜（AFM）直接测量硅片表面粗糙度；然后，利用直流磁控溅射方法，在相同制备工艺条件下镀制Mo／Si多层膜，使用X射线衍射仪（XRD）对多层膜二级衍射峰进行摇摆曲线扫描；最后，利用同步辐射测量多层膜的反射率，间接表征基底的粗糙度。结果表明，超声清洗后镀制的多层膜反射率最高，结论与AFM，XRD等表征方法一致。