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利用激光溅射的方法,已经在离子阱中产生并囚禁了C n(n=1～13)原子团簇离子,并取得了溅射产生原子团簇的质量范围随激光脉冲能量的变化以及原子团簇离子的稳定存储随囚禁时间的变化关系等结果。囚禁时间可达20 s。
用激光溅射的方法在离子阱中产生和囚禁碳原子团簇离子
【摘 要】
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利用激光溅射的方法,已经在离子阱中产生并囚禁了C n(n=1～13)原子团簇离子,并取得了溅射产生原子团簇的质量范围随激光脉冲能量的变化以及原子团簇离子的稳定存储随囚禁时间的变化关系等结果。囚禁时间可达20 s。
【机 构】
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中国科学院武汉物理所波谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉430071武汉工业大学,武汉430071
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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1997年24期
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