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由于直拉单晶硅的氧含量和均匀性对硅基器件的性能有很大的影响,单晶硅的生长也难以控制,通过研究我们可以,以氧杂质的基本机理分析,并进一步通过调整氩气流量和炉内压力、坩埚位置,晶体和坩埚提拉速度及旋转变化等条件,并使用相应的磁场技术,来实现控制晶体中的氧含量分布和均匀性,以提升单晶硅的生产和进一步提高晶体质量.