【摘 要】
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在分离式二极管的基础上,实现了220 GHz高效率的二倍频器结构.该倍频器的电路在450 μm宽,2.7 mm长的50 μm石英基片上实现.测试结果表明,在室温下当驱动功率在46.4~164 mW时
【机 构】
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中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,中国工程物理研究院电子工程研究所
【基金项目】
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the National Key Basic Research Program of China (2015CB755406),the Defense Industrial Technology Development Program (JCKY2016212C045, JCKY2017212C002).
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在分离式二极管的基础上,实现了220 GHz高效率的二倍频器结构.该倍频器的电路在450 μm宽,2.7 mm长的50 μm石英基片上实现.测试结果表明,在室温下当驱动功率在46.4~164 mW时,在214~226 GHz的频段内能够实现大于16%的倍频效率.另外,当驱动功率在161 mW时,倍频器在218 GHz频点能够输出最高功率32 mW,并且在多个频点拥有高于20%的倍频效率.实验证明,所实现的二倍频器能够作为660 GHz倍频链路的驱动前级使用.
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