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目的：研究一种有效面积为1cm×1cm的半导体探测器对钼靶X射线的响应情况、探测器的输出与胶片达到质控密度时所需曝光量的函数关系，以期将此探测器实际应用于高频乳腺X线摄影AEC控制系统中。方法：将探测器置于暗盒下部，焦片距63cm，利用高频乳腺X线机分别在28kV和35kV管电压情况下对不同厚度组体模照射。测量探测器输出，分析探测器对经体模衰减后的软X射线响应情况；对不同厚度组体模阶梯状排列以不同摄影条件拍摄胶片、测量各阶梯对应密度值，分析在胶片密度为1.0和1.25时，体模厚度与所需曝光量的函