利用Γ-X混合在Al As/Ga As异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wolfwang21

【摘要】

：

利用GaAs量子阱中Γ谷束缚态与AlAs层中Χ谷束缚态在异质结界面处的共振Γ-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来,从而在结构中形成了持久的电荷极

【作者】

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彭进胡冰胡承勇卞松保杨富华郑厚植

【机构】

：

中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

г-X混合 AlAs/GaAs异质结构光生电子空穴对持久存储 C-V特性 heterostructureГX mixingCV curves

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利用GaAs量子阱中Γ谷束缚态与AlAs层中Χ谷束缚态在异质结界面处的共振Γ-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来,从而在结构中形成了持久的电荷极化.这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反方向扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实.如果将我们的器件用作光存储单元,预期可以获得很长的存储时间Ts.同时,由于Γ-X混合隧穿速率很快,光子"读出"仍可以保持很快.

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