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以CH4为气态碳源，不同组分的In基合金为衬底，用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜，拉曼光谱，场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜，“表面催化”型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多，合金表面石墨烯的生长速度提高，但石墨烯质量下降；“溶解析出”型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强，在极短的时间内堆积成石墨“块”；金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力，导致了Sn—In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似，Sn的影