掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究

来源 :北京师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：wsdadoudou

【摘要】

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采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10%, 即数密度约1021cm-3;注入态样品快速

【作者】

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肖志松徐飞张通和程国安顾岚岚

【机构】

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北京师范大学,复旦大学,南昌大学材料科学与工程系

【出处】

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北京师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2001年4期

【关键词】

：

纳米硅离子注入光致发光铒掺杂 erbium nc-Si ion implantation photoluminescence

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采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10%, 即数密度约1021cm-3;注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77K和室温时用441.6nm光激发有Er3+较强的1.54μm特征光发射.探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er3+的光致发光性能.

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