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紫外光纤光栅的包层模造成的损耗限制了光栅在波分复用系统中的使用。文章分析了同时具有下降内包层和光敏内包层的光敏光纤可以极大地抑制包层模耦合，并采用ＭＣＶＤ工艺制作出硼和锗共掺（Ｂ／Ｇｅ）的带光敏的下陷内包层的光纤，经写入紫外光纤光栅证实该光敏光纤确实极大地抑制了包层模耦合。
具有光敏下陷包层的B／Ge共掺光敏光纤的研制
【摘 要】
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紫外光纤光栅的包层模造成的损耗限制了光栅在波分复用系统中的使用。文章分析了同时具有下降内包层和光敏内包层的光敏光纤可以极大地抑制包层模耦合，并采用ＭＣＶＤ工艺制作出硼和锗
【机 构】
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北方交通大学光波技术研究所
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2000年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目!（69977003）
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