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蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究
蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liqing804240
【摘 要】
:
研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙
【作 者】
:
李冰
郭霞
刘莹
李秉臣
王东凤
沈光地
【机 构】
:
北京市光电子技术实验室
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2005年9期
【关键词】
:
蓝宝石
发光二极管
背减薄
研磨
抛光
sapphire
LED
back lapping
lapping
polishing
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研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的变化规律,为背减薄与抛光工艺的优化提供了依据.
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