镓铝砷LED中的深能级及其对光电特性的影响

来源 :发光与显示 | 被引量 : 0次 | 上传用户：idea0315

【摘要】

：

<正> 引言众所周知,杂质缺陷对半导体器件性能有很大的影响,所以引起人们极大的兴趣。所谓深能级,一般是指不易离化、电离能超过几个kT的能级。象半导体中Cu,Fe,Co,Ni过渡金

【作者】

：

胡恺生高瑛苏锡安刘学彦温庆祥

【机构】

：

中国科学院长春物理所,中国科学院长春物理所,中国科学院长春物理所,中国科学院长春物理所,中国科学院长春物理所

【出处】

：

发光与显示

【发表日期】

：

1981年02期

【关键词】

：

LED 深能级杂质电容变化电子释放电子速度外加电压光电特性击穿电压导带电子伏安特性弛豫时间雪崩击穿镓铝砷

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<正> 引言众所周知,杂质缺陷对半导体器件性能有很大的影响,所以引起人们极大的兴趣。所谓深能级,一般是指不易离化、电离能超过几个kT的能级。象半导体中Cu,Fe,Co,Ni过渡金属,氧,空位及其络合物都能形成电离能较大的深能级。GaAlAs和GaAsP LED的效率和寿命会因深能级存在而大为下降;可是GaP中Zn—O对这种深能级却被有效地用作

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