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根据FET沟道区电场分布的特点,用电子速场特性的分段近似提出了一种新的GaAs MESFET直流解析模型。本文提出的模型可用以计算高夹断电压和低夹断电压GaAs MESFET的直流特性,比完全速度饱和模型及平方律模型更为精确。
gaAs MESFET直流解析模型
【摘 要】
：
根据FET沟道区电场分布的特点,用电子速场特性的分段近似提出了一种新的GaAs MESFET直流解析模型。本文提出的模型可用以计算高夹断电压和低夹断电压GaAs MESFET的直流特性,
【机 构】
：
东南大学微电子中心,东南大学微电子中心南京210018,南京210018
【出 处】
：
固体电子学研究与进展
【发表日期】
：
1992年3期
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