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3D NAND Flash制造工艺的快速发展,在提高存储密度降低成本的同时,也带来了新的存储特性。对3DFlash存储特性的研究,有利于其进一步的应用和发展。采用S281芯片为控制芯设计了3DFlash通用测试平台,实验结果表明,该平台可以实现对所有型号Flash的时序验证,同时还可以用于3DFlash的特性分析,通过实测得到的存储特性数据进一步验证了平台设计的可靠性。