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利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代SiO2作为栅介质的HfAlO膜。薄膜的化学组成为（HfO2）（Al2O3）2，900℃退火处理后仍然呈现非晶状态，而且表面平滑。介电常数为12．7，等效氧化物厚度2nm，固定电荷密度4×10^12cm^-2，2V栅偏压下漏电流为0．04mA／cm^2。后退火处理能有效降低固定电荷密度和泄漏电流密度，但会造成界面SiO2的生长。