气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-Ⅴ族化合物材料

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangyuxin_718
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本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果.材料是GaAs(100)衬底上外延的晶格匹配的Iny(Ga1-xAlx)1-yP(x=0~1,y=0.5),InGaP/InAlP多量子阱;在InP(100)衬底上外延的InP,晶格匹配的InGaAs、InAlAs以及InP/InGaAs、InP/InAsP多量子阱,InGaAs/InAlASHEMT等.外延实验是用国产第一台化学束外延(CBE)系统做的. This paper briefly reports the results of our gaseous source molecular beam epitaxy experiments. The material is a lattice matched Iny (Ga1-xAlx) 1-yP (x = 0~1, y = 0.5), InGaP / InAlP multiple quantum well epitaxially grown on a GaAs (100) Epitaxial substrate InP, lattice matched InGaAs, InAlAs and InP / InGaAs, InP / InAsP multiple quantum wells, InGaAs / InAlASHEMT and the like. The epitaxial experiment is done with the first domestic CBE system.
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