【摘 要】
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利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属（TM=V,Cr、Mn、Fe、Co和Ni）掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2（CdCeP2和ZnGeP2）黄铜矿半导体进行系统计算．结果发现；V-、Cr-和Ni-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2
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利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属（TM=V,Cr、Mn、Fe、Co和Ni）掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2（CdCeP2和ZnGeP2）黄铜矿半导体进行系统计算．结果发现；V-、Cr-和Ni-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态（FM），而Mn-、Fe-以及Co-掺杂的CdGeB和ZnGeP2将出现反铁磁状态（AFM）．
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