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研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaN MQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.
高In组分Inx Ga1-x N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究
【摘 要】
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研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下
【机 构】
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清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2005年8期
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