【摘 要】
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为了分析超疏水表面的物理特性及应用前景,介绍了粗糙超疏水表面的两种理论模型,提出了一种基于MEMS加工技术的超疏水表面制备工艺,即利用ICP刻蚀工艺制备规则的硅方柱,并用
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为了分析超疏水表面的物理特性及应用前景,介绍了粗糙超疏水表面的两种理论模型,提出了一种基于MEMS加工技术的超疏水表面制备工艺,即利用ICP刻蚀工艺制备规则的硅方柱,并用旋转涂覆TeflonR AF1600作为疏水薄膜,制备了疏水特性可控的硅表面.对接触角进行了测量,结果表明,在平整Teflon薄膜表面上,去离子水液滴的本征接触角约为117 °,在边长间距比为10 μm/35 μm的方柱表面上的去离子水液滴显现接触角可达170 °.另处,还给出了为避免Wenzel液滴出现的'安
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