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设计了一种电源输入模块，可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压。该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术，基于0．35μm、5V的低压CMOS工艺，可耐受高达12V的供电电压输入。该模块可用于高度集成的电源管理芯片，使之能适用于多种电源，并能消除瞬态过电压给芯片内部电路带来的影响。
一种基于低压CMOS技术的高压容限电源模块设计
【摘 要】
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设计了一种电源输入模块，可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压。该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术，基于0．35μm、5V的低压CMOS工艺，可耐受高达12V的供电电压输入。该
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系
【出 处】
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计算机与数字工程
【发表日期】
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2007年2期
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