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在欧姆加热和低混杂波电流驱动条件下，利用磺化汞半导体探测器和碘化钠和探测器测出了ＨＬ－１Ｍ装置的Ｘ射线能谱，研究了器壁硅化前后电子速率分布和电子温度变化的特点，给出了Ｘ射线辐射强度与ＬＨＣＤ能量沉积的关系。
HL—1M装置器壁硅化对电子速率分布的影响
【摘 要】
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在欧姆加热和低混杂波电流驱动条件下，利用磺化汞半导体探测器和碘化钠和探测器测出了ＨＬ－１Ｍ装置的Ｘ射线能谱，研究了器壁硅化前后电子速率分布和电子温度变化的特点，给出了Ｘ射线辐射强度
【机 构】
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核工业西南物理研究院
【出 处】
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核聚变与等离子体物理
【发表日期】
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1999年1期
【基金项目】
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核科学基金
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