磁控溅射制备ZnO:Eu薄膜发光性能研究

来源 :真空 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mikelee

【摘要】

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采用射频磁控溅射法在蓝宝石基片上制备ZnO:Eu薄膜,通过X射线衍射仪和荧光分光光度计等测试其晶体结构和发光特性,分析退火对薄膜晶体结构和发光特性的影响.结果表明,ZnO:Eu

【作者】

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赵立萍孙文军孙京南李孟洋李娟支洪武

【机构】

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哈尔滨师范大学物理与电子工程学院黑龙江省先进功能材料与激发态重点实验室,黑龙江哈尔滨150025牡丹江师范学院物理系,黑龙江牡丹江157012;哈尔滨师范大学物理与电子工程学院黑龙江省先进功能材料与激

【出处】

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真空

【发表日期】

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2012年6期

【关键词】

：

ZnO Eu3+ 光致发光磁控溅射

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采用射频磁控溅射法在蓝宝石基片上制备ZnO:Eu薄膜,通过X射线衍射仪和荧光分光光度计等测试其晶体结构和发光特性,分析退火对薄膜晶体结构和发光特性的影响.结果表明,ZnO:Eu薄膜为C轴择优生长的多晶薄膜,实现ZnO基质中掺杂Eu3+;退火样品结晶质量较好,有助于ZnO:Eu薄膜中Eu3+的5D0-7F2的能级跃迁发光;高于ZnO带隙的高能激发(间接激发)和Eu3+的7F0-5L6和7F3-5D2能级间的低能共振激发(直接激发)都能观察到Eu3+的5D0-7F2能级跃迁的特征发光(618nm);间接激发时存在ZnO基质与Eu3之间发生能量传递.

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