【摘 要】
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氧化锌（ZnO）和二氧化铱（IrO2）都是一种具有独特性的半导体材料,这种半导体材料的结构呈现出六方形,所以ZnO以及IrO2又被称作是II-VI半导体材料。ZnO以及IrO2的接触电学特性就是基
【基金项目】
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吉林省教育厅“十二五”科学技术研究规划项目（2015第282号）
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氧化锌（ZnO）和二氧化铱（IrO2）都是一种具有独特性的半导体材料,这种半导体材料的结构呈现出六方形,所以ZnO以及IrO2又被称作是II-VI半导体材料。ZnO以及IrO2的接触电学特性就是基于它们本身的特点而发展出来的。ZnO对于室温环境的要求是保持在3.37e V,它的束缚能力能够达到60me V,ZnO以及IrO2具有非常好的的物理性能和化学性质。在目前来说,ZnO被广泛地应用在传感器以及变阻器当中,也会作为相关零件元件出现。通过对IrO2/ZnO接触电学特性的改进进行分析研究,能够最大程度的提
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