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半导体器件的MC（蒙特卡罗）模拟是深入研究小尺寸器件的物理过程中必不可少的工具。设计了一种基于三能带近似模型的MC平台，用来研究太赫兹场作用下GaAs／Al0.03Ga0.97As量子阱光探测器内部电子的输运特性。在这个平台的基础上，很好地研究了太赫兹作用下量子阱光探测器在低温和低电场时的电子输运特性。