【摘 要】
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投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，ArF光刻投影曝光作为实现100～32 nm特征尺寸微细加工的首选技术，其中光刻物镜的光学性能是实现高分辨率的关键。介绍了利用光学设计软件Code V设计全折射干式投影光刻系统的过程、难点与创新。该系统应用28块球面镜，数值孔径达到0.75，在分辨率增强技术的辅助下可以实现90 nm分辨率光刻，成像面积为26 mm×10.5 mm，放大倍率-0.25，采用双远心结构以减少工作平台调平对焦不准所引入的误差。光学分析结果表明，系统在全视场范围内最大畸变为0.005
【机 构】
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北京理工大学光电学院，北京100081
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投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，ArF光刻投影曝光作为实现100～32 nm特征尺寸微细加工的首选技术，其中光刻物镜的光学性能是实现高分辨率的关键。介绍了利用光学设计软件Code V设计全折射干式投影光刻系统的过程、难点与创新。该系统应用28块球面镜，数值孔径达到0.75，在分辨率增强技术的辅助下可以实现90 nm分辨率光刻，成像面积为26 mm×10.5 mm，放大倍率-0.25，采用双远心结构以减少工作平台调平对焦不准所引入的误差。光学分析结果表明，系统在全视场范围内最大畸变为0.005 nm，最大波像差0.015λ(均方根值)，该投影曝光光学系统基本满足现阶段光刻机的性能要求。
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