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本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了压力对Mg2Si光学性质的影响。计算结果表明,0GPa压力环境下,其晶格参数与试验值吻合较好。同时,进一步计算分析了在0~40GPa高压作用下Mg2Si的折射率、反射率、吸收系数、能量损失函数和光电导率的变化情况。结果表明,压力可以有效调制Mg2Si的电子结构并改变其光学性能。