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以分子电镀法制备放射源的技术为基础，结合当前应用广泛的电刷镀技术，开展了电刷镀法制备大面积241 Am 放射源的研究。和传统的放射源制备方法相比，该方法突破了电镀槽的限制，可以任意选择源的活性面积，并且通过控制阳极镀笔在阴极上作可控制的、有规律的二维往复移动，克服了传统电镀中当源的活性面积较大时难以保证电镀源均匀性的缺点。成功制备了一批活性面积为100 mmx150 mm 的大面积241 Am放射源，研究了通电时间、电压以及镀液酸度对放射性核素241 Am 的沉积效率的影响，并对源的均匀性、牢固性进行了评