【摘 要】
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Dual material gate SOI MOSFET with asymmetrical halo can suppress short channel effect and increase carriers transport efficiency. The analytical model of its s
【机 构】
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School of Computer Science Xi\'an Polytechnic University,School of Electronics and Information Eng
【出 处】
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Academic Journal of Xi\'an Jiaotong University
论文部分内容阅读
Dual material gate SOI MOSFET with asymmetrical halo can suppress short channel effect and increase carriers transport efficiency. The analytical model of its subthreshold drain current is derived based on the explicit solution of two-dimensional Poisson’s equation in the depletion region. The model takes into consideration the channel length modulation effect and the contribution of the back channel current component. Its validation is verified by comparision with two dimensional device simulator MEDICI.
Dual material gate SOI MOSFET with asymmetrical halo can suppress short channel effect and increase carriers transport efficiency. The analytical model of its subthreshold drain current is derived based on the explicit solution of two-dimensional Poisson’s equation in the depletion region. The model takes into consideration the channel length modulation effect and the contribution of the back channel current component. Its validation is verified by comparision with two dimensional device simulator MEDICI.
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