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分析了脉冲形成电路参数对脉冲上升时间的影响，设计了一种集脉冲电容器，脉冲整形器，电容分压器和匹配负载为一体的ｎｓ级脉冲形成电路。该电路采用同轴结构，波阻抗为５０Ω，电容分压器的分压比为９３２，频率响应高达１ＧＨｚ。脉冲形成电路能产生脉冲前沿为２ｎｓ，后沿为１．８ｎｓ、底宽为５．６ｎｓ、峰值为７１ＫＶ的高压窄脉冲。