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分别采用固相法和溶胶一凝胶（Sol—Gel）法制备了Ca3Co4O9热电陶瓷靶材，对Ca3Co4O9薄膜的成膜工艺及机制进行了分析与探讨，在此基础上，采用适当的靶材利用脉冲激光沉积（PLD）技术在（0001）晶向（c轴）的Al2O3衬底上生长了单相的Ca3Co4O9薄膜。通过x_射线衍射（XRD）仪、金相显微镜及扫描电镜（SEM）等表征手段，研究了靶材与薄膜的制备工艺对热电薄膜的物相、显微结构及形貌的影响。用直流四探针法测定了靶材和薄膜电阻率与温度的关系，结果表明，薄膜具有明显的半导体特性。