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半导体激光器远场分布的高斯模型存在着不少缺点。尽管高斯分布适用于描述半导体激光器平行于结方向上的远场分布，但它不适合表征垂直于结方向上的远场分布。在相同空间分布下，洛伦兹-高斯分布的角扩展程度较高斯分布的大。因此，洛伦兹-高斯分布比高斯分布更适合于表征半导体激光器垂直于结方向上的远场分布，但研究表明洛伦兹-高斯光束仅适合于表征基模大角度激光束。而高功率半导体激光器往往也产生高阶模大角度激光束，因此构建了一类高阶洛伦兹-高斯光束的正交完备解，通过分析高阶洛伦兹-高斯光束的传输特性，证实高阶洛伦兹-高斯光束比厄米-高斯光束更适合于表征半导体激光器所产生的远场高阶模大角度激光束。