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<正>GaAs FET已广泛用来制作各种振荡器,应用于各类整机系统中。为满足整机应用的需要,南京电子器件研究所已研制出S波段振荡用大功率GaAs FET。主要技术指标为,在S波段,振荡输出功率≥2.5W,直流—射频转换效率≥30％。最好器件输出功率达3.5W。 为合理利用器件自身的寄生电抗作反馈元件。以实现振荡电路简单化,并有利于提高振荡频率,器件采用共漏工作模式。器件单胞FET的栅宽为2mm。包含10条200μm的栅指。用