【摘 要】
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本文提出了一种电路级仿真方法,对体硅CMOS存储器中由单粒子效应引发的多位翻转特性进行了建模分析.该方法综合考虑了扩散效应及寄生双极放大效应引发的电荷共享收集机制,能基于版图特征重构多节点电荷收集的电流源,实现对单粒子效应位翻转截面的预估计算.针对一款65 nm工艺体硅CMOS存储器,对不同能量及角度入射的重离子引发的多位翻转效应(MCU)进行了仿真计算,并与试验结果进行了对比.“,”A circuit-level engineering approach to estimate single-event
【机 构】
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强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西北核技术研究所,陕西西安710024
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本文提出了一种电路级仿真方法,对体硅CMOS存储器中由单粒子效应引发的多位翻转特性进行了建模分析.该方法综合考虑了扩散效应及寄生双极放大效应引发的电荷共享收集机制,能基于版图特征重构多节点电荷收集的电流源,实现对单粒子效应位翻转截面的预估计算.针对一款65 nm工艺体硅CMOS存储器,对不同能量及角度入射的重离子引发的多位翻转效应(MCU)进行了仿真计算,并与试验结果进行了对比.“,”A circuit-level engineering approach to estimate single-event induced multiple-cell upset (MCU) characteristics in bulk CMOS SRAM was mainly presented in this paper.The proposed multi-nodes charge collection model could evaluate the bit-upset cross sections in the layout-design process considering parasitic-bipolar effects.The impact of different LETs and tilting angles of ion incidence on MCUs were studied and compared to experimental data for the devices manufactured by 65 nm technology.
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某矿2603工作面出现支架支撑力异常、回采过程中支架异响的情况,现采用数值模拟和现场应力监测分析2603工作面支架异常的原因,并制定了治理措施.结果表明,采用千米定向钻机对断层区域进行注浆作业,注浆凝固后工作面支架压力基本趋于平稳,未出现波动较大的现象.研究结果对其他矿井煤壁失稳控制具有一定指导意义.
山西某煤矿125220胶运顺槽实施切顶留巷技术,为研究该技术工程应用问题,对留巷围岩取样进行了力学参数测定实验,采用FLAC3D进行了不同切缝深度、不同切缝角度数值模拟研究.最终确定切缝深度10 m,切缝角度10°最佳,切缝孔孔间距0.6 m、孔深10 m、装药5 m、封孔3 m、10个孔一组同时爆破.回采推进期间,切顶留巷巷道顶板深部最大位移量176 mm、浅部最大位移量78 mm,在留巷段使用的单体液压支架产生应力波动,最大值为42 MPa,支护措施安全可靠.
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