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本文应用表面分析技术研究HL-1装置中SiC涂层的等离子体辐照性能。结果表明,SiC材料应用于孔栏和壁涂层有利于减少杂质和提高等离子体品质。
HL—1装置SiC涂层辐照实验的表面分析
【摘 要】
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本文应用表面分析技术研究HL-1装置中SiC涂层的等离子体辐照性能。结果表明,SiC材料应用于孔栏和壁涂层有利于减少杂质和提高等离子体品质。
【机 构】
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核工业西南物理研究院,核工业西南物理研究院四川,成都,四川,成都
【出 处】
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核聚变与等离子体物理
【发表日期】
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1991年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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