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基于电致阻变效应的电阻式随机存储器（RRAM）有望综合动态随机存储器（DRAM）、静态随机存储器（SRAM）和闪存（FLASH）三大主流存储器各自的存储特性,集非易失性、非破坏性读出、高存取速度、工艺和器件结构简单、可嵌入功能强等优点于一身,弥补现在DRAM、SRAM易失性和FLASH擦写速度慢的缺点,是下一代存储器的候选者之一。