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以无铅器件及无铅引线框架为研究对象，采用扫描电镜、能谱分析了纯锡镀层锡须生长机理。采用化学气相沉积（CVD）法在样品表面镀聚氯代对二甲苯（PC）膜，研究了PC膜对锡须生长的抑制效果。结果表明：Cu／Sn界面处金属间化合物（IMC）易于向Sn晶界处生长，使得原位体积增加44．8％，因此界面处会产生较大压应力。此压应力会随着镀层／基体界面IMC层的不规则形成而增大。在压应力的作用下，Sn被挤出，从而形成锡须。PC膜对锡须的生长具有明显的抑制作用，且随着PC膜厚度的增大，锡须生长变慢，孕育期更长。5μm厚的PC