采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件

来源 :现代显示 | 被引量 : 0次 | 上传用户：c1061088

【摘要】

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我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板.通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8

【作者】

：

Yong In Park Tae Jun Ahn Sung

【机构】

：

L.G.Philips LCD,533,Hogae-dong,Dongan-gu,Anyang-shi,Kyongki-do,431-080,Korea

【出处】

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现代显示

【发表日期】

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2003年6期

【关键词】

：

光掩模工艺 AMOLED p型沟道TFT

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我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板.通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步.通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效应迁移率可达80 cm2/Vsec,亚阈值(sub-threshold)电压波动降至0.3V/dec,阈值电压约为-2V.利用6步光掩模工艺成功地获得了采用电压驱动方式的7英寸WVGA(720×480)AMOLED面板.

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