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为了获得高质量的晶体,需要解决大尺寸锑化铟晶体生长过程中的精确等径控制问题。阐述了采用提拉法生长晶体时的直径控制原理及方法,分析了影响等径控制的温度与时滞因素,并采用计算机辅助控制方法解决了大尺寸锑化铟晶体生长过程中的精确等径控制问题。生长出的3in锑化铟晶体的生长条纹不明显,位错密度小于10个/cm~2。