耦联剂辅助吸附法制备CuInS_2量子点敏化太阳电池(英文)

来源 :物理化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lihaohua008
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分别以Cu I和In Ac3作为铜源和铟源,十二硫醇(DDT)作为硫源,采用直接加热法合成不同尺寸的Cu In S2(CIS)量子点.运用X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman),高分辨率透射电镜(HRTEM),紫外-可见(UVVis)吸收光谱表征其相结构、形貌及光学性能.结果表明:制备的CIS量子点为黄铜矿结构,且随着时间的延长,量子点逐渐长大,吸收光谱的激子吸收峰逐渐红移,表现出量子尺寸效应.采用巯基乙酸为双功能耦联剂辅助吸附法制备CIS敏化的Ti O2薄膜.通过衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)分析得出,巯基乙酸上的羧基与Ti O2表面羟基连接,另一端上的巯基代替长链的DDT与CIS耦联,将CIS成功锚定在Ti O2表面.该方法不仅操作简单,而且容易实现CIS在Ti O2表面的吸附.太阳电池光电性能测试表明,粒径大小约为3.6 nm的CIS量子点表现出最优的吸附能力以及光电转换性能.进一步采用连续离子吸附层法对CIS敏化的Ti O2薄膜进行Cd S包覆,光电转换性能大大提高,其效率达到2.83%,这主要源于Cd S的包覆钝化了CIS的表面缺陷,有效地降低了电子复合. The Cu In S2 (CIS) quantum dots with different sizes were synthesized by direct heating with Cu I and In Ac3 as the source of copper and indium, and dodecyl mercaptan (DDT) as the source of sulfur respectively.Using X-ray diffraction (XRD) Raman, HRTEM and UVVis were used to characterize their phase structure, morphology and optical properties.The results show that the prepared QDs have chalcopyrite structure and With the extension of time, the quantum dots grow up gradually, and the exciton absorption peak of the absorption spectrum gradually red shifts to show the quantum size effect.The CIS-sensitized Ti O2 film was prepared by using thioglycolic acid as a bifunctional coupling agent assisted adsorption method. The ATR-FTIR analysis showed that the carboxyl groups on the thioglycolic acid were linked to the hydroxyl groups on the surface of Ti O2 and the thiol groups on the other end were used instead of the long-chain DDT to couple with CIS. The CIS was successfully anchored to Ti O2 Surface.The method is not only simple to operate but also easy to adsorb CIS on the surface of Ti O2.The test of photoelectric properties of solar cells shows that the CIS quantum dots with the size of about 3.6 nm show the best adsorption capacity and photoelectric conversion properties.Furthermore, CIS sensitized TiO by continuous ion-exchange method 2 thin film was coated with CdS, the photoelectric conversion performance greatly improved, its efficiency reached 2.83%, mainly due to the Cd S passivation CIS surface defects, effectively reducing the electron recombination.
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