深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

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【摘要】

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研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性.测量了在不同应力条件下最大线性区

【作者】

：

颜志英

【机构】

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浙江工业大学信息学院

【出处】

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微电子学

【发表日期】

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2003年5期

【关键词】

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深亚微米器件 SOI MOSFET 热截流予效应器件退化热截流子效应 Submicron device SOI MOSFET Hot-carrier eff

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研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性.测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和阈值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3 μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压.

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