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碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究
碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究
来源 :首届全国先进焦平面技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:CrazyDesire
【摘 要】
:
利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面的硫化特性进行了研究,发现溴腐蚀后的表面硫化处理可以去掉表面的氧化层,Te富集的程度大大减少,硫化处理后再长硫化锌对器件进行钝化,可
【作 者】
:
汤英文
庄春泉
许金通
游达
李向阳
龚海梅
【机 构】
:
传感技术国家重点实验室,上海技术物理研究所,中国科学院,上海,200083
【出 处】
:
首届全国先进焦平面技术研讨会
【发表日期】
:
2005年8期
【关键词】
:
光电子谱
HgCdTe
表面硫化
电学性质
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利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面的硫化特性进行了研究,发现溴腐蚀后的表面硫化处理可以去掉表面的氧化层,Te富集的程度大大减少,硫化处理后再长硫化锌对器件进行钝化,可以大大减少器件的表面漏电,增加器件工作电压和提高器件性能.
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