Influence of Deposition Parameters on Surface Evolution of Sputtered Tantalum Thin Films

来源 :半导体光子学与技术:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jcfasd123
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有从 50 nm 变化到 600 nm 的不同厚度的钽薄电影被收音机频率磁控管作为免职温度(T ) 和偏爱电压(Ub ) 的功能劈啪作响在 Si 底层上扔。表面粗糙和它的动态进化行为是使用原子力量显微镜学(AFM ) 调查的份量上。与从 300 K 增加 T 到 600 K,表面粗糙 Rrms 和动态代表逐渐地减少。随到 -150 V, Rrms 和第一减少的从 0 V 的 Ub 的增加然后增加。电影表面进化上的 T 和 Ub 的依赖以表面散开,墩生长,和离子侵犯效果被讨论了。
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